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台積電在美國舉辦的年度技術論壇上，首度對外說明最新技術藍圖，包括將在2019年推出支援極紫外光（EUV）的加強版7+奈米，同時為了與格羅方德（GlobalFoundries）等競爭對手的全耗盡型絕緣層上覆矽（FD-SOI）製程相抗?，也將優化28奈米及16奈米技術並推出22奈米及12奈米製程。



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台積電也說明將利用晶片堆疊、改變電晶體及材料架構等方式，將先進製程推進到3奈米世代。至於當紅的機器深度學習及人工智慧應用上，台積電將在年底在晶圓廠中導入機器深度學習，在針對ARM架構Cortex-A72/73處理器核心的部份，將可最佳化晶片的核心時脈並將運算速度提升50～150MHz。

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格羅方德為了搶下更多客戶，今年推出22奈米FD-SOI製程，並說明在成本及功耗的表現上，與台積電的16奈米製程相近。為此，台積電在今年予以反擊，共同執行長劉德音在美國技術論壇宣布，將推出由28奈米及16奈米優化的22奈米及12奈米。台積電認為，22奈米FD-SOI製程表現與台積電22奈米相當，但FD-SOI缺乏完整的矽智財生態系統。若與28奈米高效能加強版製程（28HPC+）相較，22奈米可減少晶片面積約10％，在同一運算速度下降低35％功耗，或在同一功耗下提升15％速度。台積電將在明年正式量產基於浸潤式微影技術的第一代7奈米FinFET製程，而目前用7奈米試產的256Mb靜態隨機存取記憶體（SRAM）良率已達76％。至於利用EUV製程推出加強版的7+奈米製程，預估2019年進入量產。三星去年底已宣布將在7奈米製程上採用EUV技術，預估2019年開始生產，台積電不落人後，並很有信心的指出，台積電會是業界首家採用EUV量產7奈米的半導體廠，會在2018年7月試產。(工商時報) var _c = new Date().getTime(); document.write('');

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